Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1057
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.contributor.authorМаксимова, Татьяна Ивановна-
dc.date.accessioned2017-07-19T19:39:54Z-
dc.date.available2017-07-19T19:39:54Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.citationКив А. Е. Влияние излучений подпороговых энергий на реконструкцию поверхности Si (001) / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в природничих науках : збірник наукових праць. – Кривий Ріг, 2000. – С. 16-23.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1057-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1057-
dc.description1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ. – М.: Мир, 1990. – 488 с. 2. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. – М.: Наука., Главная редакция физ.-мат. литературы, 1981. – 368 с. 3. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные дефекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. – 312 с. 4. Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике: Пер. с англ. / Под. ред. С.А.Ахманова. – М: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990. – 176 с. 5. F. Stillinger, T. Weber, New interatomic potential for Si, Phys. Rev. B 31, 5262 (1985). 6. I. Ohdomari, H. Akatsu, The structural models of the Si/Si02 interface, Non-Cryst. Sol. 89 239-248 (1987). 7. M.Z. Bazant, E. Kaxiras, Environment-dependent interatomic potential for bulk silicon, Phys.Rev, B 56(14), 8542-8552 (1997). 8. V.V. Kovalchuk, V.V. Chislov, V.A. Yanchuk, Cluster model of the real silicon surface, Phys. Stat. Sol. (b) 187, K47 (1995).-
dc.description.abstractВозможность управления свойствами полупроводников путем ионной бомбардировки, в частности, применение этого метода для очистки поверхности представляет значительный практический интерес. Основной задачей нашего исследования являлось выявление с помощью методов компьютерного моделирования наиболее благоприятных условий применения радиационной обработки поверхности с целью ее стабилизации.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherВидавничий відділ КДПУuk
dc.subjectSi (001)uk
dc.subjectреконструкция поверхностиuk
dc.subjectподпороговые энергииuk
dc.subjectкомпьютерное моделированиеuk
dc.subjectрадиационные дефектыuk
dc.subjectпотенциал Стиллинджера-Вебераuk
dc.subjectпотенциал Китингаuk
dc.subjectнизкоэнергетическая бомбардировкаuk
dc.titleВлияние излучений подпороговых энергий на реконструкцию поверхности Si (001)uk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
КивСоловьевМаксимова.PDFСтатья462.13 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.