Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1057
Назва: Влияние излучений подпороговых энергий на реконструкцию поверхности Si (001)
Автори: Кив, Арнольд Ефимович
Соловьев, Владимир Николаевич
Максимова, Татьяна Ивановна
Ключові слова: Si (001)
реконструкция поверхности
подпороговые энергии
компьютерное моделирование
радиационные дефекты
потенциал Стиллинджера-Вебера
потенциал Китинга
низкоэнергетическая бомбардировка
Дата публікації: 2000
Видавництво: Видавничий відділ КДПУ
Бібліографічний опис: Кив А. Е. Влияние излучений подпороговых энергий на реконструкцию поверхности Si (001) / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в природничих науках : збірник наукових праць. – Кривий Ріг: Видавничий відділ КДПУ, 2000. – С. 16-23.
Короткий огляд (реферат): Возможность управления свойствами полупроводников путем ионной бомбардировки, в частности, применение этого метода для очистки поверхности представляет значительный практический интерес. Основной задачей нашего исследования являлось выявление с помощью методов компьютерного моделирования наиболее благоприятных условий применения радиационной обработки поверхности с целью ее стабилизации.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1057
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
КивСоловьевМаксимова.PDFСтатья462,13 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.