Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1038| Назва: | Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию |
| Автори: | Ків, Арнольд Юхимович Соловйов, Володимир Миколайович Максимова, Татьяна Ивановна |
| Ключові слова: | поверхность Si (001) атомная реконструкция метод молекулярной динамики компьютерное моделирование полуэмпирические потенциалы потенциал Стиллинджера-Вебера алгоритм Верле степень симметрии глубина перестройки |
| Дата публікації: | 2003 |
| Видавництво: | Брама ІСУЕП |
| Бібліографічний опис: | Кив А. Е. Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в науці, економіці та освіті : збірник наукових праць. – Черкаси, 2003. – С. 53-54. |
| Короткий огляд (реферат): | В рамках данного исследования нас интересовала реконструкция поверхности Si (001) и приповерхностных слоев, на глубине порядка нескольких постоянных решетки кремния. Моделирование поверхности кремния проведено методом молекулярной динамики с использованием полуэмпирических потенциалов. В работе исследовано влияние температурных условий в диапазоне от 100 К до 1500 К на динамику реконструкции. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1038 https://doi.org/10.31812/0564/1038 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Кив_Соловьев_Максимова.pdf | Статья | 4.15 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.