Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1032
Назва: Effect of oxygen agglomeration in polycrystaline Si (SIPOS) films
Автори: Lisovskyy, I. P.
Litovchenko, V. G.
Gnenyy, B. M.
Fussel, W.
Kiv, Arnold E.
Soloviev, Vladimir N.
Maximova, Tatiana I.
Ключові слова: IR transmission spectra
SIPOS structures
space distribution
RBM statistics
oxygen agglomeration
SIPOS films
HF solution
peculiarities of the space distribution of oxygen
computer simulation
free Si surface relaxation
disordered phase
Si surface layers
stressed bonds
dangling bonds
quasi-disordered phase
Дата публікації: 2002
Видавництво: Springer Science+Business Media
Бібліографічний опис: Lisovskyy I. P. Effect of oxygen agglomeration in polycrystaline Si (SIPOS) films / I. P. Lisovskyy, V. G. Litovchenko, B. M. Gnenyy, W. Fussel, A. E. Kiv, V. N. Soloviev, T. I. Maximova // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2002. – Vol. 13. – N 3. – P. 167-171.
Короткий огляд (реферат): IR transmission spectra of SIPOS structures were measured and were investigated by using an approach of deconvolution of the Si-O stretching band into Gauss profiles. It was found that the space distribution of oxygen in SIPOS layers treated at elevated temperatures does not correspond to the prediction of RBM statistics. The oxygen agglomeration was observed. Optical microscopy was also applied to get additional information about the SIPOS films after treatment in HF solution. The peculiarities of the space distribution of oxygen in SIPOS films are explained on the basis of a computer simulation of free Si surface relaxation. A computer model has shown that a disordered phase arises in the Si surface layers at elevated temperatures. This phase is characterized by a large concentration of stressed and dangling bonds. There are lattice nodes with more than one dangling bond that are suitable sites for oxygen agglomeration.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1032
ISSN: 0957-4522
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Lisovskyy_Litovchenko_Gnenyy_Fussel_Kiv_Soloviev_Maximova.pdfArticle9,11 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.