Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1031
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorMaximova, Tatiana I.-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-07-09T12:28:44Z-
dc.date.available2017-07-09T12:28:44Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationKiv A. E. MD simulation of the ion-stimulated processes in Si surface layers / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviev // Functional Gradient Materials And Surfase Layers Prepared by Fine Particles Technology : Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Functional Gradient Materials and Surface Layers Prepared by Fine Particles Technology. Kiev, Ukraine, June 18-28, 2000 / Edited by Marie-Isabelle Baraton and Irina Uvarova. – Kluwer Academic Publishers, 2001. – P. 297-303. – (NATO Science Series. Series II: Mathematics, Physics and Chemistry – Vol. 16).uk
dc.identifier.isbn978-0-7923-6925-7-
dc.identifier.isbn978-94-010-0702-3-
dc.identifier.otherDOI 10.1007/978-94-010-0702-3-
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1031-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1007/978-94-010-0702-3_30-
dc.description.abstractIn this paper we described calculations of relaxation processes of Si surface layers at elevated temperatures and caused by ion beam bombardment. New details in microstructure of relaxed Si surface layers are obtained. The energy dependencies of ion-stimulated atomic processes show that the most expressed effect of improvement of Si surface layers takes place in vicinity of the energy threshold for elastic atom displacement in Si lattice.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherKluwer Academic Publishersuk
dc.subjectSi (001) surfaceuk
dc.subjectAb initio calculationsuk
dc.subjectrelaxation processesuk
dc.subjectdisordered atomic configurationsuk
dc.subjectMolecular Dynamics methoduk
dc.subjectradiation treatmentuk
dc.subjectlow-energy ion bombardmentuk
dc.subjectself-ion implantationuk
dc.subjection irradiationuk
dc.subjectsurface characteristicsuk
dc.subjection beam bombardmentuk
dc.subjection-stimulated atomic processesuk
dc.titleMD simulation of the ion-stimulated processes in Si surface layersuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kiv_Maximova_Soloviev.pdfArticle526.74 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.