Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1031
Назва: MD simulation of the ion-stimulated processes in Si surface layers
Автори: Kiv, Arnold E.
Maximova, Tatiana I.
Soloviev, Vladimir N.
Ключові слова: Si (001) surface
Ab initio calculations
relaxation processes
disordered atomic configurations
Molecular Dynamics method
radiation treatment
low-energy ion bombardment
self-ion implantation
ion irradiation
surface characteristics
ion beam bombardment
ion-stimulated atomic processes
Дата публікації: 2001
Видавництво: Kluwer Academic Publishers
Бібліографічний опис: Kiv A. E. MD simulation of the ion-stimulated processes in Si surface layers / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviev // Functional Gradient Materials And Surfase Layers Prepared by Fine Particles Technology : Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Functional Gradient Materials and Surface Layers Prepared by Fine Particles Technology. Kiev, Ukraine, June 18-28, 2000 / Edited by Marie-Isabelle Baraton and Irina Uvarova. – Kluwer Academic Publishers, 2001. – P. 297-303. – (NATO Science Series. Series II: Mathematics, Physics and Chemistry – Vol. 16).
Короткий огляд (реферат): In this paper we described calculations of relaxation processes of Si surface layers at elevated temperatures and caused by ion beam bombardment. New details in microstructure of relaxed Si surface layers are obtained. The energy dependencies of ion-stimulated atomic processes show that the most expressed effect of improvement of Si surface layers takes place in vicinity of the energy threshold for elastic atom displacement in Si lattice.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1031
ISBN: 978-0-7923-6925-7
978-94-010-0702-3
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kiv_Maximova_Soloviev.pdfArticle526,74 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.