Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1025
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorПіддубний, Б. А.-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-07-08T19:40:41Z-
dc.date.available2017-07-08T19:40:41Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationПіддубний Б. А. Комп’ютерне моделювання радіаційно-стимульованої стабілізації (001) Si поверхні / Б. А. Піддубний, В. М. Соловйов // Фізика. Математика. Нові технології навчання : збірник матеріалів Всеукраїнської студентської науково-практичної конференції, присвяченої 70-річчю фізико-математичного факультету КДПУ ім. В. Винниченка (2–3 квітня 1999 року, м. Кіровоград) / Упорядники : С. П. Величко, А. М. Плічко, О. М. Царенко. – Кіровоград : РВГІЦ КДПУ ім. В. Винниченка, 1999. – С. 13-14.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1025-
dc.description.abstractПоверхні, границі розподілу напівпровідників відіграють суттєву роль в процесі формування й функціонування значної кількості приладів та структур сучасної мікроелектроники. Ідеальна поверхня є неврівноваженою структурою, і в залежності від умов її одержання, відпалу, пасівації може трансформуватись в один з більш ніж 300 відомих станів. В сучасних теоретичних дослідженнях важливу роль відіграє комп’ютерне моделювання. Воно дозволяє дослідити атомну структуру, електронні, коливальні й оптичні властивості поверхні. В даній роботі методом молекулярної дннамики з потенціалом Стілінджера-Вебера досліджено особливості релаксації (001) поверхні кремнія при кімнатній температурі за нормальних умов, а також при її опроміненні низькоенергетичними іонами. Поверхня (001) Si була обрана зогляду на те, що вона є найбільш якісною при одержанні її методом молекулярно-променевої епітаксії і для неї ще не одержано в повній мірі переконливих експериментальних і теоретичних даних.uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherРВГІЦ КДПУ ім. В. Винниченкаuk
dc.subjectкомп’ютерне моделюванняuk
dc.subjectграниці розподілу напівпровідниківuk
dc.subjectмікроелектроникаuk
dc.subjectпотенціал Стілінджера-Вебераuk
dc.subjectрелаксація (001) поверхні кремніяuk
dc.subjectнизькоенергетичні іониuk
dc.subjectметод молекулярно-променевої епітаксіїuk
dc.titleКомп’ютерне моделювання радіаційно-стимульованої стабілізації (001) Si поверхніuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Поддубный_Соловьев.pdfТези3,55 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.