1. DSpace at KDPU
  2. Електронні публікації
  3. Фізико-математичний факультет
  4. Кафедра інформатики та прикладної математики
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1022
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.contributor.authorМаксимова, Татьяна Ивановна-
dc.date.accessioned2017-07-08T18:30:00Z-
dc.date.available2017-07-08T18:30:00Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationКив А. Е. Моделирование стабилизации поверхности (001) Si низкоэнергетическими ионами / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в освітній діяльності. – Кривий Ріг, 1999. – С. 7-11.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1022-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1022-
dc.description1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ. – М.: Мир, 1990. – 488с. 2. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. – М.: Наука., Главная редакция физ.-мат. литературы, 1981. – 368с. 3. Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике: Пер. с англ. / Под. ред. С.А.Ахманова. - М: Наука. Гл. ред. физ.- мат. лит., 1990. - 176 с. 4. F. Stillinger, T. Weber, New interatomic potential for Si, Phys. Rev. B 31, 5262 (1985). 5. I. Ohdomari, H. Akatsu, The structural models of the Si/Si02 interface, Non-Cryst. Sol. 89 239-248 (1987). 6. Максимова Т.И. Компьютерное моделирование радиационно-стимулированной стабилизации (001) Si поверхности.// Фотоэлектроника, № 8, 1998. 7. Ishimaru M., Munetoh S. Generation of amorphous silicon structure by rapid quenching: A molecular-dynamics study.// Phys.Rev., B 56 (23), 15133-15138 (1997). 8. K.Inoue, Y. Moricawa, Order-disorder phase transition on the Si (001) surface: Critical role of dimer defects, Phys.Rev., B 49 (20), 14774-14777 (1994).-
dc.description.abstractАнализ особенностей формирования и влияния радиационных допороговых и послепороговых дефектов на основные физические процессы в полупроводниках привел нас к следующему предположению. Облучение поверхности кремния нейтральными ионами с энергиями, меньшими энергии дефектообразования Ed может способствовать переходу ее структуры в энергетически более стабильное состояние. Этот метод стабилизации поверхности может быть более предпочтительным, чем использование распространенной в настоящее время ионной бомбардировки с энергиями ионов порядка нескольких килоэлектронвольт, которая может приводить к значительным перестройкам приповерхностных слоев.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherВидавничий відділ КДПУuk
dc.subjectкомпьютерное моделированиеuk
dc.subjectстабилизация поверхностиuk
dc.subjectкремнийuk
dc.subjectнизкоэнергетические ионыuk
dc.subjectметод молекулярной динамикиuk
dc.subjectпотенциал Стиллинджера-Вебераuk
dc.subjectпотенциал Китингаuk
dc.subjectалгоритм Верлеuk
dc.titleМоделирование стабилизации поверхности (001) Si низкоэнергетическими ионамиuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Кив_Соловьев_Максимова.pdfСтатья404.19 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.