1. DSpace at KDPU
  2. Електронні публікації
  3. Фізико-математичний факультет
  4. Кафедра інформатики та прикладної математики
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1018
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-07-08T15:32:57Z-
dc.date.available2017-07-08T15:32:57Z-
dc.date.issued1995-
dc.identifier.citationСоловьев В. Н. О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках / В. Н. Соловьев // Физика и техника полупроводников. – 1995. – Т. 30, вып. 2. – С. 278-284.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1018-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1018-
dc.description[1] Физика гидрогенизированного аморфного кремния, под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски (М., Мир, 1987) ч. 1, с. 368, ч. 2, с. 448. [2] W.D. Luedke, U. Landman. Phys. Rev. В, 40, 1164 (1989). [3] W.. Phillips. Rep. Prog. Phys., 50, 1657 (1987). [4] В.Г. Карпов, М.И. Клингер, Ф.Н. Игнатьев. ЖЭТФ, 84, 761 (1983). [5] Ю.М. Гальперин, В.Г. Карпов, В.Н. Соловьев. ЖЭТФ, 94, 373 (1988). [6] В.Н. Соловьев, В.А. Хрисанов. ФТП, 23, 68 (1989). [7] Г.А. Дядына, В.Г. Карпов, В.Н. Соловьев, В.А. Хрисанов. ФТТ, 31, 148 (1989). [8] N. Tomassini, V. Bosta. J. Non-Ctyst. Sol., 93, 241 (1987). [9] W.A. Phillips., J. Non-Cryst. Sol., 77–78, 1329 (1985). [10] R.N. Kleiman, G. Agnolet, D.J. Bishop. Phys. Rev. B, 59, 2079, (1987). [11] Van den Berg, V.H. Lohneysen. Phys. Rev. Lett., 55, 2463 (1985). [12] M.Stutzmann, D.K. Biegelsen. Phys. Rev. B, 28, 6256 (1983). [13] J.B. Boyce, M. Stutzmann, S.E. Ready. Phys. Rev. B, 32, 6062 (1985). [14] W.A. Kamitakahara, C.M. Soukoulis, H.R. Shanks, U. Buchenau, G.S. Grest. Phys. Rev. B, 36, 6539 (1987). [15] J.L. Black, B.l. Halperin. Phys. Rev. B, 16, 2879 (1977). [16] J.E. Graebner, L.C. Allen. Phys. Rev. Lett., 51, 1566 (1983).-
dc.description.abstractПроведено компьютерное моделирование флуктуаций локальных атомных потенциалов в аморфных кремнии и германии. Показано, что типичные флуктуации структурных параметров этих материалов приводят к значительному смягчению квазиупругих констант. В возникающих при этом двухъямных потенциалах формируются двухуровневые системы, отвечающие туннельным состояниям. Обсуждаются некоторые следствия, вытекающие из полученных результатов. Проанализированы экспериментальные данные, указывающие на существование туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках.uk
dc.language.isoruuk
dc.subjectкомпьютерное моделированиеuk
dc.subjectфлуктуации локальных атомных потенциаловuk
dc.subjectаморфный кремнийuk
dc.subjectаморфный германийuk
dc.subjectквазиупругие константыuk
dc.subjectдвухъямные потенциалыuk
dc.subjectдвухуровневые системыuk
dc.subjectтуннельные состоянияuk
dc.subjectаморфные тетраэдрические полупроводникиuk
dc.titleО природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводникахuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Соловьев.pdfСтатья659.55 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.