Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1014
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorАлдабергенова, С. Б.-
dc.contributor.authorКарпов, В. Г.-
dc.contributor.authorКоугия, К. В.-
dc.contributor.authorПевцов, А. Б.-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.contributor.authorФеоктистов, Н. А.-
dc.date.accessioned2017-07-08T14:59:19Z-
dc.date.available2017-07-08T14:59:19Z-
dc.date.issued1990-
dc.identifier.citationАлдабергенова С. Б. Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в α-Si:H / С. Б. Алдабергенова, В. Г. Карпов, К. В. Коугия, А. Б. Певцов, В. Н. Соловьев, Н. А. Феоктистов // Физика твердого тела. – 1990. – Т. 32, № 12. – С. 3599-3612.uk
dc.identifier.issn0367-3294-
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1014-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1014-
dc.description[1 ] Street R. A., Kakalios J., Tsai Т. Т., Hayes Т. М. // Phys. Rev. В. 1987. V. 35. N 3. P. 1316-1333. [2] Kakalios J., Street R. A., Jackson W. В. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. N 9. P. 1037—1040. [3] Jackson W. B., Kakalios J. //P h y s. Rev. B. 1988. V. 37. N 2. P. 1020—1023. [4] Street R. A., Hack M., Jackson W. B. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. № 8. P. 4209 - 4223. [5] Андреев А. А., Сидорова T. А., Казакова E. А ., Аблова M..C., Виноградов А. Я. // ФТП. 1986. T. 20. № 8. С. 1469—1475. [6] Андреев А. А., Аблова М. С., Сидорова Т. А., Казакова Е. А., Пилатов А. Г., Тургунов Т. Т. // Изв. АН СССР, неорг. матер. 1989. Т. 25. № 6. С. 900—904. [7] Smith Z. Е., Vagner S. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. N 6. P. 688-691. [8] Shepard К ., Smith Z. E., Aljishi S., Wagner S. // Appi. Phys. Lett. 1988. V. 53. N 17. P. 1644—1646. [9] McMahon T. J., Tsu К. T. / / Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 6. P. 412—414. [10] Meaudre R., Meaudre M., Jensen R., Guiraud G. // Phil. Mag. Lett. 1988. V. 57. N 6. P. 315—320. [11] Solov’ev V. N. // Phys. St. Sol. (a). 1984. V. 83. N 2. P. 533-536. [12] Кривоглаз M. A. / / УФН. 1973. T. 111. № 2. C. 617-663. [13] Tauc J., Grigorovichi R., Vancu A. // Phys. St. Sol. 1966. V. 15. № 3. P. 627—637. [14] Vanecec M., Kocka J., Stuchlik J., Kozisek Z., Stika O., Triska A. // Sol. Energy Mater. 1983. V. 8. N 6. P. 411—423. [15] Гордеев С. H., Зарифьянц IO. А., Казанский А. Г. // ФТП. 1982. T. 16. № 6. C. 182, 184. [16] Anderson P. W., Halperin В. I., Varma С. M. / / Phil. Mag. 1971. V. 25. № 1. P. 1— 9. [17] Amorphous Solids. Low Temperature Properties / Ed. W. A. Phillips. Berlin—Reidelberg—New York: Springer Verlag, 1981. P. 287. [18] Street R. A.. Tsai С. C., Kakelios J., Jackson W. B. // Phil. Mag. B. 1987. V. 56. N 4. P. 305—322. [19] Stabler D. L., Wronsky C. R. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 6. P. 3262—3268. [20] Dersch H., Stuke J., Beichler J. // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. N 6. P. 456—458. [21] Карпов В. Г., Соловьев В. Н. // ФТТ. 1989. Т. 31. № 5. С. 226—232. [22] Street R. А. // Adv. Phy. 1981. V. 30. Р. 593—710. [23] Biegelsen D. К ., Street R. A., Tsai С. С., Knights J. С. // J. Non-Cryst. Sol. 1980. V. 35/36. Р. 285-290.-
dc.description.abstractЭкспериментально исследованы электрические и оптические свойства гидрогенизированного аморфного кремния в условиях высокой подвижности атомов водорода (при температурах порядка и выше комнатной). Измеренные величины обнаруживают нетривиальные температурные зависимости, обусловленные изменениями структуры при термостимулированной диффузии водорода. Развита феноменологическая модель изменения электронных свойств аморфного полупроводника при структурных перестройках. Она основана на рассмотрении ансамбля случайных двухъямных потенциалов, переходы в которых меняют электронные состояния. Предложена микроскопическая интерпретация, основанная на учете прямого взаимодействия подвижных атомов примеси с локализованными электронами. Это взаимодействие ответственно за образование флуктуонных состояний, структура и свойства которых определяются случайным характером потенциального рельефа примесных атомов в аморфном веществе. Изменения электронных и оптических свойств аморфного полупроводника связаны с диффузионными процессами образования и распада флуктуонных состояний.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherИздательство «Наука»uk
dc.subjectгидрогенизированный аморфный кремнийuk
dc.subjectтермостимулированная диффузия водородаuk
dc.subjectфеноменологическая модель изменения электронных свойств аморфного полупроводника при структурных перестройкахuk
dc.subjectансамбль случайных двухъямных потенциаловuk
dc.subjectфлуктуонные состоянияuk
dc.subjectдиффузионные процессыuk
dc.titleЭлектронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в α-Si:Huk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Алдабергенова_Карпов_Коугия_Певцов_Соловьев_Феоктистов.pdfСтатья2.05 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.