Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1013
Назва: Atomic Particle Delocalisation Effect in Disordered Media
Автори: Soloviev, Vladimir N.
Ключові слова: disordered condensed media
metallic and oxide glasses
polycrystalline and amorphous semiconductors
diffusion coefficient
disordering degree of the media
quantum-chemical simulation method
diffusion processes
amorphous silicon
delocalisation atom effect
disordered media
Дата публікації: 16-чер-1984
Видавництво: Wiley-VCH
Бібліографічний опис: Solovev V. N. Atomic Particle Delocalisation Effect in Disordered Media / V. N. Solovev // physica status solidi (a). – 1984. – Volume 83, Issue 2. – P. 553-559.
Короткий огляд (реферат): Possible reasons are given of the higher diffusion rates of atoms (comparatively to crystals) in disordered condensed media (in metallic and oxide glasses, polycrystalline and amorphous semiconductors). It is shown, that the diffusion coefficient exponentially depends on the disordering degree of the media. A quantum-chemical simulation of the diffusion processes in amorphous silicon is made, The results of which corresponds to the delocalisation atom effect obtained in random fields. The most characteristic experimental features of the activation processes in disordered media are analysed.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1013
ISSN: 1862-6300
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Solovev - Atomic particle delocalisation effect in disordered media.pdfArticle408,35 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.