Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1002
Назва: Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии
Автори: Соловйов, Володимир Миколайович
Хрисанов, Виктор Александрович
Ключові слова: флуктуации локальных атомных потенциалов
аморфный кремнии
компьютерное моделирование
метод молекулярной динамики
флуктуации микроскопической структуры
мягкие локальные атомные потенциалы
Дата публікації: 1988
Бібліографічний опис: Соловьев В. Н. Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии / В. Н. Соловьев, В. А. Хрисанов // Физика и техника полупроводников. – 1988. – Т. 22, выпуск 4. – С. 686-691.
Короткий огляд (реферат): Впервые произведено исследование флуктуации локальных атомных потенциалов в некристаллическом веществе. Основу исследования составляет моделирование случайной структуры аморфного кремния на ЭВМ. Моделирование осуществлялось методом молекулярной динамики. В ансамбле 5x10^3 построенных локальных конфигураций рассчитаны параметры атомных потенциалов. Показано, что значительные флуктуации этих параметров обеспечиваются типичными флуктуациями микроскопической структуры. В частности, имеет место широкое распределение констант упругости и кубического ангармонизма для отдельных атомов. Продемонстрировано существование мягких локальных атомных потенциалов, которые являются эффективно одномодовыми. Даны эмпирические формулы, описывающие вероятностные распределения случайных параметров мягких потенциалов. Исследована зависимость этих параметров от дилатации.
Опис: [1] Anderson P. W., Halperin B., Varma С. M. Phil. Mag., 1972, vol. 25, N 1, p. 1—9 [2] Phillips W. A. – J. Low Temp. Phys., 1972, vol. 7, N 2, p. 351—357. [3] Amorphous Solids. Low Temperature Properties / Ed. By W. A. Phillips. Berlin—Heidelberg, 1981. 165 p. [4] Гальперин Ю. M., Гуревич В. Л., Паршин Д. А. —Письма ЖЭТФ, 1984, т. 40, в. 7 с. 283-286. [5] Карпов В. Г., Паршин Д. А. — Письма ЖЭТФ, 1983, т. 38, в. И , с. 536—539; ЖЭТФ, 1985, т. 88, в. 6, с. 2212-2227. [6] Buchenau U. et al. — Phys. Rev. В, 1986, v. 34, N 8, p. 5665—5668. [7] Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. М., 1982. 662 с. [8] Клингер М. И., Карпов В. Г. — ЖЭТФ, 1982, т. 82, в. -2, с. 1687—1703. [9] Карпов В. Г., Клингер М. И., Игнатьев Ф. Н. — ЖЭТФ, 1983, т. 84, в. 2, с. 761—775. [10] Кривоглаз M. А. — ЖЭТФ, 1985, т. 85, в. 6, с. 2171—2184 [11] Keating N. Р. — Phys. Rev., 1966, v. 145, N 5, р. 637—645. [12] Stillinger F. H ., Weber T. A. — Phys. Rev. B, 1985, v. 31, N 8, p. 5262-5265. [13] Swalin R . A. — J. Phys. Chem. Sol., 1961, v. 18, N 2, p. 290—301 [14] Beeler J. R . — Adv. Mater. Res., 1970, v. 4, N 6, p. 295—343. [15] Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ / Под ред. Ю. А. Осипьяна. Л., 1980. 214 с. [16] Polk D. Е . — J. Non-Cryst. Sol., 1971, v. 5, N 3, р. 365—374; Polk D. E., Boudreaux D. S. — Phys. Rev. Lett., 1973, v. 31, N 9, p. 92—96. [17] Ильин В. Л., Карпов В. Г., Паршин Д. А. — ЖЭТФ, 1987, т. 91, в. 1, с. 291—296. [18] Гуревич В. Л. Кинетика фононных систем. М., 1980. 400 с. [19] Graebner J. Е., Allen L. С. — Phys. Rev. В, 1984, v. 31, N 10, р. 5626—5633.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1002
https://doi.org/10.31812/0564/1002
ISSN: 0015-3222
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии.pdfСтатья814.33 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.