Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1278
Назва: MD Simulation of the Ion-Stimulated Relaxation in Silicon Surface Layers
Автори: Kiv, A. E.
Maximova, T. I.
Soloviev, Vladimir N.
Ключові слова: molecular dynamics
microelectronics
radiation treatment
silicon surface
Дата публікації: чер-2000
Бібліографічний опис: Soloviov V. N. MD Simulation of the Ion-Stimulated Relaxation in Silicon Surface Layers / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviov // NATO Advanced Study Institute “Functional Gradient Materials And Surface Layers, Prepared by Fine Particles Technology” : Program. Abstracts. Participants. – June 18-28, Kiev, Ukraine. – L16. – Kiev, 2000. – P. 23.
Короткий огляд (реферат): Thus it was established that ion bombardment of silicon surface in the energy region of the threshold of elastic displacement of atoms might allow to improve structural characteristics of surface lavers and to decrease the relaxation time. Energy dependencies of radiation induced processes show a possibility to improve the real staicture of Silicon surface and to accelerate the long-term surface relaxation in microelectronic technology,
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1278
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kiv_Maximova_Soloviev.pdfAbstract2,39 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.