Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1266
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorГорин, Б. М.-
dc.contributor.authorЛихман, A. В.-
dc.contributor.authorРадюк, И. А.-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.contributor.authorХрисанов, В. А.-
dc.date.accessioned2017-08-24T14:25:46Z-
dc.date.available2017-08-24T14:25:46Z-
dc.date.issued1983-
dc.identifier.citationГорин Б. М. Об одном механизме естественного старения планарных структур / Б. М. Горин, A. В. Лихман, И. А. Радюк, В. Н. Соловьев, В. А. Хрисанов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1983. – Вып. 5 (164). – С. 29-32.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1266-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1266-
dc.description1. Болтакс Б.И. Процессы диффузии в полупроводниках и деградация (старение) полупроводниковых структур // Ученые записки Тартуского государственного университета, 1976, вып. 379, с. 3-9. 2. Птащенко А. А. Деградация светоизлучающих диодов (Обзор). - Журнал прикладной спектроскопии, 1980, вып. З, т. 33, с. 781-803 3. Фистуль В. И. Особые случаи распада полупроводниковых твердых растворов. - Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов, Кишинев, 1982, ч. 1, с.11-12. 4. Меламедов И. В. Физические основы надежности. - Л.: Энергия, 1970. - 316 с. 5. Ху С. Диффузия в кремнии и германии. - В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках. - М.: Мир, 1975. - 684 с. 6. Strunk Н., Gogele U., Kolbesen В. O. Interstitial supereaturation near phosphorus—diffused emiter zones in silicon. - AppI, Phys.Lett., 1979, v. 34, N 8, p. 530-532. 7. Fair R. В. Oxidation impurity diffusion, and defect growth in silicon - an overview, - J .Electtochem, Soc., 1981, v. 128, N 6, p. 1360-1368. 8. Watkins G.D, EPR studies of the lattice vacancy and low temperature damage processes in silicon , — In: Lattice Defects in Semiconductors. Conf. Ser. N 23, Inst. of Phys London-Bristol, 1975, p.1-22. 9. Кив А. Е., Соловьев B.H. Примесные комплексы-генераторы дефектов. - ФТП. т. 22, № 9 8й 9, с. 2575- 2577. 10. Кив А.Е., Искандерова 3.А., Соловьев В.Н. О механизме образования Е—центра в кремнии. — ФТП, т. 11, № 1, с. 199-201. 11. Hirata М., Saito Н, The interaction of point defects with impurities in silicon. - J.Phys. Soc. Japan, 1969, v. 27, N 2, p. 405-414. 12. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова. - Новосибирск: Наука, 1980. - 296 с. 13. Вавилов В.С., Кив А. E., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981. - 368 с.-
dc.description.abstractПоказано, что взаимодействие примесного атома с атомами матрицы может определять процессы естественного старения кремниевых планарных структур за счет образования глубоких рекомбинационных центров.uk
dc.language.isoruuk
dc.subjectстарениеuk
dc.subjectпланарные структурыuk
dc.subjectмоделированиеuk
dc.subjectполупроводниковые приборыuk
dc.titleОб одном механизме естественного старения планарных структурuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Об одном механизме естественного старения планарных структур.pdfСтатья4.88 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.