Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1262
Назва: Потенциальный рельеф в бинарных кристаллах
Автори: Соловйов, Володимир Миколайович
Тимошенко, Т. Г.
Ключові слова: потенциальный рельеф
бинарные кристаллы
квантовохимическое моделирование
Si
Дата публікації: 1980
Бібліографічний опис: Соловьев В. Н. Потенциальный рельеф в бинарных кристаллах / В. Н. Соловьев, Т. Г. Тимошенко // Десятое заседание Постоянного семинара по моделированию радиационных и других дефектов в кристаллах : тезисы докладов (г. Лиелупе, 15-17 января 1980 г.) / Научный совет по проблеме «Радиационная физика твердого тела» АН СССР, Институт физики АН ЛатCCP, Криворожский государственный педагогический институт ; [ред. К. К. Шварца]. – Лиелупе, 1980. – С. 17.
Короткий огляд (реферат): Рассмотрены вопросы, связанные с построением потенциаль­ного рельефа в попарно-аддитивном приближении для гетеросоединения. Подобная задача возникает, в частности, при исследовании поведения примесей в насыщенных системах . Проанализированы два случая: сильной и слабой ковалентности. В первом случае эффективные заряды остовов гетерокомпонентов мало отличаются между собой и возможен расчет потенциаль­ного рельефа согласно методике [1]. Случай слабой ковалентности требует вариационного расчета степени ковалентности соединения. На примере примесных комплексов в Si обсуждается моди­фикация алгоритмов квантовохимического моделирования [2].
Опис: 1 . Кив А.Е ., Искандерова З.А. - ФТП, 1976, т. 10, с .1984 2 . Кив А.Е ., Соловьев В.Н . Искаженные структуры в алмазных решетках. - В сб. Методические материалы по машинному моделированию дефектов .в кристаллах, Кривой Рог, 1978 . с. 59
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1262
https://doi.org/10.31812/0564/1262
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Соловьев_Тимошенко.pdfТезисы7.63 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.