Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1244
Назва: Microstructure of the relaxed (001) Si surface
Автори: Kiv, A. E.
Maximova, T. I.
Soloviev, Vladimir N.
Ключові слова: molecular dynamics
semi-empirical potential
angle distribution function
quasi-disordered phase
Дата публікації: жов-1999
Бібліографічний опис: Kiv A. E. Microstructure of the relaxed (001) Si surface / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviev // AM’99: Internationa Conference “Advanced Materials”. 3-7 October 1999, Kiev, Ukraine : Abstracts of Symposium B: Functional Materials for Information Recording and Radiation Monitoring. – 1999. – P. 11.
Короткий огляд (реферат): We have applied molecular dynamics method and semi-empirical potential [1] to obtain the realistic picture of Si surface layers relaxation. The starting configuration was taken as a parallelepiped containing 864 atoms. There were 12 layers with 72 atoms in each one. Periodic boundary conditions were used in two dimensions.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1244
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kiv_Maximova_Soloviev.pdfAbstract9,49 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.