Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1244| Назва: | Microstructure of the relaxed (001) Si surface |
| Автори: | Ків, Арнольд Юхимович Maximova, T. I. Соловйов, Володимир Миколайович |
| Ключові слова: | molecular dynamics semi-empirical potential angle distribution function quasi-disordered phase |
| Дата публікації: | жов-1999 |
| Бібліографічний опис: | Kiv A. E. Microstructure of the relaxed (001) Si surface / A. E. Kiv, T. I. Maximova, V. N. Soloviev // AM’99: Internationa Conference “Advanced Materials”. 3-7 October 1999, Kiev, Ukraine : Abstracts of Symposium B: Functional Materials for Information Recording and Radiation Monitoring. – 1999. – P. 11. |
| Короткий огляд (реферат): | We have applied molecular dynamics method and semi-empirical potential [1] to obtain the realistic picture of Si surface layers relaxation. The starting configuration was taken as a parallelepiped containing 864 atoms. There were 12 layers with 72 atoms in each one. Periodic boundary conditions were used in two dimensions. |
| Опис: | 1. F.H. Stillinger, T.A. Weber, Phys. Rev., B31, 9262 (1985) 2. P.W. Jacobs, A.E. Kiv, R.M. Balabay et al., RAU Sci. Rep., Computer modeling & New Technologies, 2, 15, (1998) |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1244 https://doi.org/10.31812/0564/1244 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра інформатики та прикладної математики |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Kiv_Maximova_Soloviev.pdf | Abstract | 9.49 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.