Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1025
Назва: Комп’ютерне моделювання радіаційно-стимульованої стабілізації (001) Si поверхні
Автори: Піддубний, Б. А.
Соловйов, Володимир Миколайович
Ключові слова: комп’ютерне моделювання
границі розподілу напівпровідників
мікроелектроника
потенціал Стілінджера-Вебера
релаксація (001) поверхні кремнія
низькоенергетичні іони
метод молекулярно-променевої епітаксії
Дата публікації: 1999
Видавець: РВГІЦ КДПУ ім. В. Винниченка
Бібліографічний опис: Піддубний Б. А. Комп’ютерне моделювання радіаційно-стимульованої стабілізації (001) Si поверхні / Б. А. Піддубний, В. М. Соловйов // Фізика. Математика. Нові технології навчання : збірник матеріалів Всеукраїнської студентської науково-практичної конференції, присвяченої 70-річчю фізико-математичного факультету КДПУ ім. В. Винниченка (2–3 квітня 1999 року, м. Кіровоград) / Упорядники : С. П. Величко, А. М. Плічко, О. М. Царенко. – Кіровоград : РВГІЦ КДПУ ім. В. Винниченка, 1999. – С. 13-14.
Короткий огляд (реферат): Поверхні, границі розподілу напівпровідників відіграють суттєву роль в процесі формування й функціонування значної кількості приладів та структур сучасної мікроелектроники. Ідеальна поверхня є неврівноваженою структурою, і в залежності від умов її одержання, відпалу, пасівації може трансформуватись в один з більш ніж 300 відомих станів. В сучасних теоретичних дослідженнях важливу роль відіграє комп’ютерне моделювання. Воно дозволяє дослідити атомну структуру, електронні, коливальні й оптичні властивості поверхні. В даній роботі методом молекулярної дннамики з потенціалом Стілінджера-Вебера досліджено особливості релаксації (001) поверхні кремнія при кімнатній температурі за нормальних умов, а також при її опроміненні низькоенергетичними іонами. Поверхня (001) Si була обрана зогляду на те, що вона є найбільш якісною при одержанні її методом молекулярно-променевої епітаксії і для неї ще не одержано в повній мірі переконливих експериментальних і теоретичних даних.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1025
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Поддубный_Соловьев.pdfТези3,55 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.