Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1023
Назва: Radiation-stimulated processes in Si surface layers
Автори: Jacobs, Patrick W. M.
Kiv, Arnold E.
Soloviev, Vladimir N.
Maximova, Tatyana N.
Ключові слова: Si surface
molecular dynamics
relaxation processes
radiation effects
Дата публікації: 1999
Видавець: Transport and Telecommunication Institute
Бібліографічний опис: Jacobs P. W. Radiation-stimulated processes in Si surface layers / P. W. Jacobs, A. E. Kiv, V. N. Soloviev, T. N. Maximova // Computer Modelling and New Technologies. – 1999. – Vol. 3. – P. 15-18.
Короткий огляд (реферат): Molecular dynamics computer simulations have been performed to study the character o disordering of atom configurations in Si surface layers. The relaxation of free Si surface was investigated. The main structural parameters were calculated, such as a distribution of angle between chemical bonds, the density of dangling bonds, structural peculiarities of Si surface layers and radiation effects. It was concluded that Si surface at real conditions is a disordered phase similar to a-Si [1].
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1023
ISSN: 1407-5806
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2_radiation-stimulated_processes.pdfArticle60,74 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.