Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1022
Назва: Моделирование стабилизации поверхности (001) Si низкоэнергетическими ионами
Автори: Кив, Арнольд Ефимович
Соловьев, Владимир Николаевич
Максимова, Татьяна Ивановна
Ключові слова: компьютерное моделирование
стабилизация поверхности
кремний
низкоэнергетические ионы
метод молекулярной динамики
потенциал Стиллинджера-Вебера
потенциал Китинга
алгоритм Верле
Дата публікації: 1999
Видавництво: Видавничий відділ КДПУ
Бібліографічний опис: Кив А. Е. Моделирование стабилизации поверхности (001) Si низкоэнергетическими ионами / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев, Т. И. Максимова // Комп’ютерне моделювання та інформаційні технології в освітній діяльності. – Кривий Ріг : Видавничий відділ КДПУ, 1999. – С. 7-11.
Короткий огляд (реферат): Анализ особенностей формирования и влияния радиационных допороговых и послепороговых дефектов на основные физические процессы в полупроводниках привел нас к следующему предположению. Облучение поверхности кремния нейтральными ионами с энергиями, меньшими энергии дефектообразования Ed может способствовать переходу ее структуры в энергетически более стабильное состояние. Этот метод стабилизации поверхности может быть более предпочтительным, чем использование распространенной в настоящее время ионной бомбардировки с энергиями ионов порядка нескольких килоэлектронвольт, которая может приводить к значительным перестройкам приповерхностных слоев.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1022
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Кив_Соловьев_Максимова.pdfСтатья404,19 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.