Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1021
Назва: Radiation-stimulated processes in Si surface layers
Автори: Jacobs, Patrick W. M.
Kiv, Arnold E.
Soloviev, Vladimir N.
Maximova, Tatyana N.
Chislov, Valery V.
Ключові слова: Si surface
molecular dynamics
relaxation processes
radiation effects
Дата публікації: 1999
Видавництво: SPIE
Бібліографічний опис: Jacobs P. W. M. Radiation-stimulated processes in Si surface layers / Patrick W. M. Jacobs, Arnold E. Kiv, Vladimir N. Soloviev, Tatyana N. Maximova, Valery V. Chislov // SPIE Proceedings [SPIE International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering - St. Petersburg, Russia (Monday 8 June 1998)] International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering NDTCS-98. – 1999. – Vol. 3687. – P. 170-174.
Короткий огляд (реферат): Molecular dynamics computer simulations have been perfonned to study the character of disordering of atom configurations in Si surface layers. The relaxation of free Si surface was investigated. The main structural parameters were calculated, such as a distribution of angles between chemical bonds, the density of dangling bonds, structural peculiarities of Si surface layers and radiation effects. It was concluded that Si surface at real conditions is a disordered phase similar to a-Si [1].
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1021
ISSN: 0277-786X
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Jacobs_Kiv_Soloviev_Maximova_Chislov.pdfArticle273,34 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.