Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1019
Назва: Метастабильные дефекты и процессы деградации полупроводниковых приборов
Автори: Боско, Д. В.
Никонова, Елена Петровна
Соловьев, Владимир Николаевич
Дончев, И. И.
Ключові слова: теория флуктуонов
аморфный кремний
метастабильные дефекты
флуктуоны
фотоструктурные процессы
эффект Стеблера-Вронского
метастабильные состояния
Дата публікації: 9-чер-1998
Видавець: Астропринт
Бібліографічний опис: Боско Д. В. Метастабильные дефекты и процессы деградации полупроводниковых приборов / Боско Д. В., Никонова Е. П., Соловьев В. Н., Дончев И. И. // Фотоэлектроника : межведомственный научный сборник. – Одесса : Астропринт, 1998. – Выпуск 7. – С. 4-9.
Короткий огляд (реферат): Теория флуктуонов Кривоглаза применена к описанию аморфного кремния (a-Si). Исследованы новые метастабильные дефекты в a-Si. Они возникают в результате взаимодействия атомов Н с флуктуонами. Предсказаны различные зависимости, характеризующие новые метастабильные дефекты. Например, мож­но отметить специфическую временную зависимость проводимости. Отмечается, что модель новых дефектов в a-Si объясняет фотоструктурные процессы и, в частности, эффект Стеблера-Вронского. Можно также объяснить другие метастабильные состояния в материалах и приборах на базе a-Si.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1019
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Боско_Никонова_Соловьев_Дончев.pdfСтатья31,94 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.