Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1018
Назва: О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках
Автори: Соловьев, Владимир Николаевич
Ключові слова: компьютерное моделирование
флуктуации локальных атомных потенциалов
аморфный кремний
аморфный германий
квазиупругие константы
двухъямные потенциалы
двухуровневые системы
туннельные состояния
аморфные тетраэдрические полупроводники
Дата публікації: 1995
Бібліографічний опис: Соловьев В. Н. О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках / В. Н. Соловьев // Физика и техника полупроводников. – 1995. – Т. 30. – Вып. 2. – С. 278-284.
Короткий огляд (реферат): Проведено компьютерное моделирование флуктуаций локальных атомных потенциалов в аморфных кремнии и германии. Показано, что типичные флуктуации структурных параметров этих материалов приводят к значительному смягчению квазиупругих констант. В возникающих при этом двухъямных потенциалах формируются двухуровневые системы, отвечающие туннельным состояниям. Обсуждаются некоторые следствия, вытекающие из полученных результатов. Проанализированы экспериментальные данные, указывающие на существование туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1018
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Соловьев.pdfСтатья659,55 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.