Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1011
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.contributor.authorТимошенко, Т. Г.-
dc.date.accessioned2017-07-07T18:27:18Z-
dc.date.available2017-07-07T18:27:18Z-
dc.date.issued1980-
dc.identifier.citationСоловьев В. Н. Машинное моделирование генерации дефектов примесными комплексами / В. Н. Соловьев, Т. Г. Тимошенко // Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах : материалы Всесоюзного постоянного семинара по моделированию радиационных и других дефектов на ЭВМ / Академия наук СССР, Ордена Ленина Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе ; [под ред. Орлова А. Н.]. – Ленинград : ЛИЯФ, 1980. – С. 143-144.uk
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1011-
dc.description.abstractРассчитаны равновесные конфигурации дефектной области в кремнии в окрестности комплексов, содержащих фосфор и алюминий. Найдена возможность генерации комплек­сом (Al1 + V) точечных дефектов. Эти механизмы чувствительны к конфигурациям о повернутыми связями. Полученные результаты использованы для уточнения механизмов миграции примесей III и V групп в Si, а также расшифровки про­цессов естественного старения полупроводников и полупроводниковых приборов.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherЛИЯФuk
dc.subjectмашинное моделированиеuk
dc.subjectквантовая химияuk
dc.subjectдинамика дефектовuk
dc.subjectпопарно-аддитивное квантовохимическое описаниеuk
dc.subjectалмазные решеткиuk
dc.subjectстарение полупроводниковuk
dc.titleМашинное моделирование генерации дефектов примесными комплексамиuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Соловьев_Тимошенко.pdfТезисы1,88 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.