Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elibrary.kdpu.edu.ua/xmlui/handle/0564/1007
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКів, Арнольд Юхимович-
dc.contributor.authorСоловйов, Володимир Миколайович-
dc.date.accessioned2017-07-04T19:31:44Z-
dc.date.available2017-07-04T19:31:44Z-
dc.date.issued1981-
dc.identifier.citationКив А. Е. Квантовохимическое моделирование аморфного кремния / А. Е. Кив, В. Н. Соловьев // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. – 1981. – Выпуск 2 (16). – С. 64-65.uk
dc.identifier.issn0134-5400-
dc.identifier.urihttp://elibrary.kdpu.edu.ua/handle/0564/1007-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.31812/0564/1007-
dc.description.abstractМетодом квантовохимического моделирования исследованы равновесные конфигурации и диффузионные процессы в аморфном кремнии. В основе расчета - микрокристаллическая модель аморфной среды. В результате расчета потенциального рельефа для миграции узельных и межузельных примесей сделан вывод о том, что в разупорядоченных средах имеются облегченные условии для перемещения атомов. Это, в частности, обусловлено широким набором междоузлий, характеризующихся различной релаксацией. Установлена неустойчивость узельных положений примесей замещения, что объясняет отсутствие их электрической активности. Объяснен эффект рекристаллизации амортизированных при ионной имплантации слоев. Он связан с неустойчивостью "глубоко" разупорядоченных структур (когда нарушения "достигают" каждого отдельного тетраэдра), которые безактивационно переходят в кристаллическую фазу. (1 ил., список лит. - 6 назв.).uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherХарьковский ордена Ленина и ордена Октябрьской революции физико-технический институт АН УССРuk
dc.subjectквантовохимическе моделированиеuk
dc.subjectравновесные конфигурацииuk
dc.subjectдиффузионные процессыuk
dc.subjectаморфный кремнийuk
dc.subjectмикрокристаллическая модель аморфной средыuk
dc.subjectнеустойчивость узельных положений примесей замещенияuk
dc.subjectэффект рекристаллизации амортизированных при ионной имплантации слоевuk
dc.titleКвантовохимическое моделирование аморфного кремнияuk
dc.typeArticleuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра інформатики та прикладної математики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Кив_Соловьев_1981.pdfТезисы656.56 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.